Los próximos Samsung Galaxy contarán con memoria S-RAM más rápida

No, Samsung no es sólo un fabricante de gadgets y dispositivos de imagen y sonido. La compañía es uno de los mayores fabricantes de componentes informáticos del mundo y gracias a la marca podemos disfrutar de numerosos dispositivos que en un principio nadie asociaría con el fabricante. Si, contando con el iPhone.

Ayer mismo Samsung presento uno de los componentes que podría ser clave en el desarrollo de los futuros teléfonos Samsung Galaxy. Concretamente estamos hablando de la nueva generacion de S-RAM para dispositivos móviles. Este anuncio implica que Samsung no sólo ha superado TSMC, sino también a Intel en el desarrollo de semiconductores para la  próxima generación

Samsung se ha convertido en uno de los fabricantes de componentes más prolíficos en el mundo de la telefonía móvil, capaz de abastecer el mercado con productos que van desde los CPUs, pasando por las pantallas OLED / LCD, y acabando en los módulos de memoria RAM. Este último componente, uno de los que posiblemente formen parte de la nueva gama Samsung Galaxy, hace uso de la tecnología 10nm FinFET con 128 Mb de tasa de transferencia, haciéndolo mucho más rápido que los módulos D-RAM.

ram smartphone

La superficie se reduce de un 37.5% en comparación con la S-RAM fabricada en proceso de 14nm, algo con bastante importancia, ya que aumenta la disponibilidad del espacio para que los ingenieros puedan trabajar con un margen mayor.

Aún es pronto para ver este componente en el Samsung Galaxy s7, ya que la producción en masa de estos módulos S-Ram tendrá lugar durante la primera mitad del 2017 y, a partir de entonces, serán implementadas por medio de los primeros procesadores que podrán usarlas, reduciendo al mismo tiempo el consumo energético.

Adelantando a la competencia

Este movimiento parece indicar que el SoC de 10nm rumoreado de Samsung no debería estar muy lejos de ver la luz. Al igual que la S-Ram de 1onm, mejorará la eficiencia energética y ocuparían menos espacio, lo que supondría respectivas mejoras en términos de consumo y diseño en los próximos Samsung Galaxy de la compañía.

Ahora sólo nos queda por conocer cuál será la respuesta tanto de TSMC como de Intel, cuyos módulos S-RAM todavía se basan en procesos de 16nm y 14nm respectivamente. Ambos rivales de Samsung están obligados a ponerse al día de cara al 2017 si no quieren quedarse atrás en cuanto al desarrollo de este tipo de componentes.

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