Hynix prepara memoria interna de más capacidad para smartphones

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Este año hemos conocido los primeros smartphones con memoria interna de 256 GB, Apple entre éstos con sus iPhone 7 y iPhone 7 Plus. Sin embargo, esta carrera por aumentar la capacidad del sistema de almacenamiento interno de este tipo de dispositivos no se detiene y SK Hynix ya dispone de la tecnología y el método de producción para ir más allá. La compañía no ha indicado la capacidad, pero sí cuándo estarán disponibles, durante la segunda parte de 2017.

Aunque aún existen modelos con memoria interna de 8 GB, susceptibles a quedarse sin memoria rápidamente y causar muchos inconvenientes a sus propietarios, por suerte las versiones estándar empiezan a situarse en los 32 GB. Sin embargo, los modelos más destacados de la gama alta han alcanzado cotas hasta hace poco impensables durante este año. Los casos más extremos son los de aquellos smartphones con memoria interna de 256 GB.

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Memoria interna para smartphones por encima de los 256 GB

Si bien durante la primera parte del próximo año se estandarizarán modelos con más memoria y esos modelos premium con 256 GB se harán cada vez más comunes, no debe extrañarnos si de cara a mitad de 2017 los fabricantes introducen chips de memoria de mayor capacidad.Memoria interna iPhone 6s

Y es que SK Hynix, uno de los fabricantes destacados y protagonistas en este sector, ya tiene entre manos una nueva evolución de la tecnología que hace posible que dispongamos memoria flash de semejante capacidad. Según podemos leer en medios especializados en Corea del Sur, la compañía ya prepara chips de memoria NAND Flash 3D de 72 capas. Una evolución que, principalmente, aumentará la densidad de datos de los chips de memoria. De este modo, se hace posible la introducción de memoria de mayor capacidad en un chip del mismo tamaño o incluso más pequeño, condición indispensable en un smartphone habida cuenta de la carrera por la miniaturización de los componentes.

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Cabe destacar la gran evolución en este tipo de memoria durante los últimos años. Y es que desde que los fabricantes adoptaran la tecnología NAND 3D de 24 capas en 2013, desde entonces han pasado por las 32, 48 y 64 capas que actualmente utiliza, por ejemplo, Samsung y Toshiba.

Memoria físicamente más pequeña, pero más eficiente y de mayor capacidad

No hay mayores detalles al respecto, pero es de esperar que el movimiento de Hynix haga llegar a los smartphones de 2017 memoria que bien podría superar los 480 o 512 GB. Del mismo modo, la optimización del proceso de fabricación fomentaría la fabricación de memorias más eficientes desde el punto de vista energético y habrá que ver si aumenta su rendimiento.

Por ahora, Samsung dispone de sus memorias con tecnología UFS 2.1 que se posicionan actualmente como las más rápidas del mercado, tal y como ha demostrado el fabricante en su propio Samsung Galaxy S7.

Escrito por Víctor Rodríguez

Fuente > Business Korea