El Snapdragon 820 y Quick Charge 3.0 harán volar la conexión 4G del móvil y el tiempo de carga
Qualcomm ha presentado oficialmente los que serán los procesadores y la nueva tecnología de carga de las baterías de los móviles que nos llegarán en 2016, el Snapdragon 820 y Quick Charge 3.0, con lo que nos podemos hacer una pequeña idea de lo que nos espera en 2016 cuando lo empiecen a montar los diferentes fabricantes.
Aunque Samsung parece que está centrado en sus Exynos y otros fabricantes también usan diferentes procesadores, como HTC que lanzará, si se cumple lo previsto, el HTC One A9 (Aero) con el Helio X20, Qualcomm aún se mantiene como la marca de referencia en lo que se refiere a los chips, procesadores y demás hardware para teléfonos móviles. Y es que, en buena medida, las características que tiene un smartphone vienen definidas por las cualidades de su SoC (Sistem on a Chip) donde además del procesador también encontramos otros componentes como pueden ser, por ejemplo, el chip de conectividad LTE.
Es por ello que el nuevo Snapdragon 820 del que la compañía nos ha ido dando diferentes piezas de su puzzle en los últimos tiempos, completa su ficha técnica con dos elementos, el módem X12 LTE y la tecnología Quick Charge 3.0, que se unirán a los tres procesadores con los que cuenta el chip y que integrará en uno de ellos tres nuevos núcleos Kyro, un DSP Hexagon 680 y la nueva GPU Adreno 530.
Volviendo a lo que se anuncia hoy, el estreno del módem X12 LTE supondrá la llegada de conexiones de hasta 600 Mbps, o lo que es lo mismo, serán los primeros terminales con conexión LTE Cat 12, superando así los 450 Mbps del LTE Cat. 9 actual con el polémico Snapdragon 810. Por su parte, la velocidad de subida, que también es importante, llegará 150 Mbps.
Esto es posible por lo que se llama «carrier agreggation», una tecnología que, por así decirlo, suma bandas al LTE actual para aumentar su capacidad y de la que dimos buena cuenta en el pasado Mobile World Congress cuando Movistar nos hizo una demostración de esta tecnología, precisamente, con un prototipo de Qualcomm que bien podría ser un Snapdragon 820 aún en desarrollo, y que os mostramos en vídeo:
Además trae consigo mejoras en otro tipo de conectividad comoWi-Fi 802.11ad y 802.11ac 2X2 MU-MIMO y 4×4 MIMO y un nuevo diseño para funcionar mejor con teléfonos con carcasas metálicas, que siempre son un problema por las interferencias que se producen con este material además de una mejor gestión inteligente del Wi-Fi Calling que es capaz de hacer que salte la comunicación entre LTE y la conexión inalámbrica por excelencia, según la que tenga mejor cobertura y sin cortar la comunicación.
Nuevos chips para la gama media: Snapdragon 617 y 430
También tenemos, a parte del modelo 820, el anuncio de los terminales que portarán muchos terminales en la gama media y de entrada. Hablamos del Snapdragon 617, que llegará con ocho núcleos Cortex-A53 a 1,5 Ghz con GPU Adreno 405 y capaz de gestionar cámaras de hasta 21 MP y conexiones LTE Cat 7 (hasta 300 Mbps)
Por su parte, el Snapdragon 430 sigue siendo un octa-core con el mismo tipo de núcleos pero a 1,2 Ghz y como el anterior, también tiene DSP Hexagon pero incorpora la GPU Adreno 505, siendo capaz de gestionar también cámaras de 21 MP. Eso sí, se queda en LTE Cat 4, alcanzando los 150 Mpbs de descarga.
Quick Charge 3.0, carga más rápida y segura
El segundo gran anuncio de la compañía ha sido la integración para estos tres nuevos chips de Quick Charge 3.0, compatible con la versión anterior, pero que será capaz de cargar en un rango de 3.6V a 20V en incrementos de 200mV. Esto es gracias a un algoritmo que determina cuanta energía debería entrar en cada momento al dispositivo y será compatible con el estándar USB Type C para sacarle todo el rendimiento – algo que ya se integró en los Snapdragon 620 y 618 -.
Esto, traducido al mundo real, se supone que permitiría la carga de un terminal de cero a 80% en apenas 35 minutos. Esto sería cuatro veces más rápido que la tecnología actual y un 38% más eficiente que Quick Charge 2.0.
