2019 será el año de los móviles con 1 TB de almacenamiento gracias a Samsung
Todos sabemos que la gran mayoría de fabricantes van a usar el 2019 como campo de pruebas para sus smartphones 5G, con pantallas flexibles, y notch en forma de agujero en pantalla. Samsung es, precisamente, una de las compañías que más empeño ha puesto en estas tecnologías, pero no se olvida de aspectos más clásicos como el almacenamiento interno. Por ello acaba de presentar su nuevo chip de memoria eUFS 2.1 de hasta 1 TB de capacidad.
Samsung Electronics ha comenzado la producción en masa de su memoria para dispositivos móviles de mayor capacidad hasta la fecha, siendo conscientes de que en menos de un mes se presenta oficialmente el nuevo Samsung Galaxy S10. Precisamente ayer nos hacíamos eco de una reciente filtración que alegaba que el modelo más grande del futuro tope de gama de la marca, el Samsung Galaxy S10+, podría contar con 12 GB de memoria RAM y hasta 1 TB de almacenamiento. Esta información podría confirmarse hoy con el anuncio de la marca del desarrollo de este tipo de unidades de memoria.
Chips eUFS 2.1 de 1 TB
Entrando de lleno en los nuevos chips de 1 TB, los nuevos eUFS 2.1 permitirán a los usuarios de todo tipo de móviles, no solo los fabricados por Samsung, disfrutar de unos niveles de capacidad de almacenamiento solo vistos en ordenadores y portátiles. La única opción que habíamos visto para alcanzar 1 TB de almacenamiento en un smartphone era el Samsung Galaxy Note 9, quien combinaba sus 512 GB nativos con una tarjeta MicroSD de la misma capacidad.
Esta nueva memoria interna de 1 TB eUFS 2.1 tiene el mismo tamaño que los chips de 512 GB presentados meses atrás (11,5 mm x 13 mm) y está configurado mediante la combinación de 16 capas de memorias flash V-NAND de 512 gigabits, el doble que su antecesor, que a su vez están formadas por otras 64 capas que su antecesor. Esto permite un almacenamiento de hasta 260 vídeos de 10 minutos en resolución 4K (en comparación con los 13 vídeos del mismo tamaño, que pueden almacenarse en una memoria de 64 GB como las que encontramos en muchos topes de gama de la actualidad. Samsung también presume de una velocidad de hasta 10 veces la velocidad de una tarjeta microSD. Concretamente habla de un máximo de 1.000 megabytes por segundo en velocidad de lectura secuencial y una lectura aleatoria de 58.000 IOPS.
La producción de esta nueva memoria eUFS de 1 TB crecerá durante la primera mitad de 2019 para satisfacer la fuerte demanda que se espera para 2019, un año en que la gran mayoría de fabricantes podrían apostar por este chip para dar un gran salto de calidad en sus buques insignia.