Así de eficiente y rápida es la memoria RAM LPDDR5 de 8 GB que estrenaría el Galaxy S10

Samsung

Tras algo más de cuatro años, Samsung ha anunciado que ya dispone de los primeros chips de memoria RAM LPDDR5 de 8 Gb, una transición desde el estándar LPDDR4 que propone mejoras destacadas tanto en el apartado del rendimiento como el de la eficiencia energética. Optimizaciones que podríamos disfrutar por primera vez en smartphones como el Samsung Galaxy S10 a principios del año que viene.

Samsung se prepara para dar soporte a los smartphones de nueva generación, esos en los que la Inteligencia Artificial cobrará especial protagonismo, así como la conectividad 5G. Tecnologías que demandarán mayor rendimiento a nivel general, y no solo por parte del procesador. Así nos lo hace saber la firma surcoreana, que ya ha completado la fase de pruebas y desarrollo de los primeros chips de memoria LPDDR5 de 8 Gb para dar paso a la fabricación en masa de los módulos de memoria RAM de 8 GB que, con toda probabilidad, estrenaría el Samsung Galaxy S10 en 2019.

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Samsung ha ofrecido detalles sobre el proceso de fabricación y estructura de la nueva memoria RAM LPDDR5. Un estándar que llega al sector de los smartphones para ofrecer una evolución más que interesante respecto a las actuales memorias LPDDR4.Chip de memoria RAM LPDDR5 que estrenará el Samsung Galaxy S10

Y es que este tipo de chips de memoria LPDDR o Low Power DDR SDRAM, optimizados para ofrecer un bajo consumo energético respecto a otros estándares como el GDDR5 y GDDR6, alcanzan sus mejores valores con la implantación del estándar LPDDR5. Si en 2014 la anterior generación ya proponía un rendimiento un 50% superior y un consumo energético un 40% inferior respecto a las memorias LPDDR3, la llegada de la memoria RAM LPDDR5 ofrece una evolución similar con una ganancia del 50% del rendimiento y una reducción del consumo eléctrico del 30%.

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En números, Samsung apunta que la memoria LPDDR5 de clase 10 nanómetros (proceso de fabricación de entre 10 y 20 nanómetros) es capaz de alcanzar un ancho de banda de hasta 51.2 GB gracias a que estos chips pueden alcanzare velocidades de transferencia de datos de hasta 6.400 Mbps.Diseño conceptual del Samsung Galaxy S10

Más velocidad, y también menos consumo energético

Sin embargo, la mayor evolución tecnológica radica en la arquitectura interna del chip, que ahora dispone del doble de bancos de memoria al pasar de ocho a 16. Del mismo modo, se han diseñado varias soluciones encaminadas a reducir el gasto energético. Por un lado, hay un controlador que permite reducir el voltaje que recibe el chip. Con 1.1 voltios, la memoria ofrece velocidades de hasta 6.400 Mbps. Con 1.05 voltios, el valor desciende hasta los 5.500 Mbps. Será el propio controlador del procesador el que gestione en todo momento la tensión para adecuar el rendimiento y el consumo de energía acorde a las exigencias del sistema operativo.

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Esto, sumado a la configuración que evita la sobreescritura de las celdas “0” y un optimizado modo inactivo “más agresivo” que reduce el consumo un 50% respecto al anterior modo “Deep Sleep” de la memoria LPDDR4, propicia que la memoria LPDDR5 sea mucho más eficiente.

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El resultado, tal y como avanzábamos, es un módulo de memoria de 8 GB de RAM gracias a la fusión de ocho chips de memoria LPDDR5 de 8 Gb adaptado a las nuevas exigencias de la Inteligencia artificial y la futura generación de redes 5G.

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Se espera que estos módulos de memoria RAM sean fabricados en masa en las factorías de la firma cuando los clientes de Samsung lo demanden. Ante esta perspectiva, no es de extrañar que la propia Samsung sea la primera en estrenar este chip de memoria RAM de 8 GB en el Samsung Galaxy S10, en el que también esperamos que sea introducida por primera vez la memoria interna con tecnología UFS 3.0.

Escrito por Víctor Rodríguez

Fuente > Samsung