Las versiones “S” que Apple lanza como revisión de los iPhone suele ser indicativo de mejoras en el apartado de prestaciones. Así ha sucedido hasta la fecha y el iPhone 6s confirma nuevamente la tendencia del fabricante. Gran parte de sus componentes han sido mejorados tales como el procesador o la cámara. Sin embargo, una prueba de rendimiento también nos indica que la memoria interna ha sufrido cambios que repercuten muy positivamente en el rendimiento del smartphone.
El experimento ha sido llevado a cabo por el equipo de AnandTech, el cual ha puesto a prueba una unidad del iPhone 6s Plus. Estas primeras pruebas se han centrado en un parámetro que hasta hace relativamente poco tiempo no había tenido gran repercusión, pero que por su repercusión en la experiencia de uso de este tipo de gadgets poco a poco va teniendo más importancia. Nos referimos a la velocidad de escritura y lectura de la memoria interna.
Mejoras técnicas en la memoria del iPhone 6s
Así, AnandTech nos expone de un modo muy gráfico cuál ha sido la mejora del iPhone 6s Plus en este ámbito. Tanto que podemos ver cómo la memoria interna incluida por el phablet de la firma es notablemente más rápida que la introducida en la anterior generación de dispositivos de la manzana mordida. Y es que el fabricante habría optado por un nuevo sistema y controlador de memoria, una evolución del incluido en los MacBook, un sistema híbrido de memoria NAND SLC y TLC.
El resultado de Apple lo podemos apreciar en una de las tantas gráficas expuestas en la siguiente galería. La primera expone la velocidad de lectura secuencial en bloques de 256 KB de la memoria. Los resultados son de 402 MB/s, un dato especialmente elevado si tenemos en cuenta los 253 MB/s del iPhone 6 Plus y los 209 MB/s del Samsung Galaxy S6.
Resultados significativos
Los datos referentes a la memoria interna también se refieren a la velocidad de escritura secuencial, donde la gráfica muestra un resultado de 163 MB/s. Nuevamente apelamos a la comparación con los del iPhone 6 Plus y Samsung Galaxy S6, como se puede apreciar en la tabla, entre otros tantos modelos.
Podéis consultar el resto de datos y resultados en las otras gráficas proporcionadas por AnandTech. A falta de nuevas pruebas que certifiquen estos resultados, todo parece indicar que Apple ha mejorado notablemente en un apartado donde Samsung había destacado especialmente tras poner en práctica su última tecnología propietaria UFS. ¿En qué se notará esta mejora de la memoria interna del iPhone 6s? Uno de los puntos será en la propia experiencia de usuario, pero también en la transferencia de archivos.
