En los últimos días han aparecido en la Red diferentes noticias que nos permiten hacernos una idea de como será el próximo tope de gama de Samsung con el que pretende dominar el merado en 2019. Estos días hemos podido anticipar el diseño del Samsung Galaxy S10 así como las características de su procesador, pero ahora conocemos un interesante detalle o, mejor dicho, dos detalles, que nos hacen pensar que el móvil será el más rápido del año que viene.
Y es que más allá del procesador, el buen rendimiento y la velocidad de un smartphone también depende de su memoria RAM y, sobre todo, de su tecnología de almacenamiento. En cuanto a la CPU, ya se han filtrado algunas características del Samsung Exynos 9820, que probablemente estará configurado con núcleos M4 Mangoose que mejorarán los registros de ARM Cortex A76, los cuales ya de por si prometen aumentar un 35% la potencia de los núcleos ARM Cortex A75.
Pero ahora es Ice Universe, uno de los leakster más famosos y que más información suele filtrar de los futuros teléfonos del fabricante coreano, quien señala que el Samsung Galaxy S10 estrenará dos tecnologías que potenciarán y mucho, el rendimiento y la velocidad del próximo tope de gama de la firma.
Memoria LPDDR5 y UFS 3.0
Empezando por el final… La memoria UFS 3.0 vendría a suceder a la tecnología UFS 2.1, disponible en memorias de 32, 64, 128 y 256 GB, con una velocidad de lectura secuencial de 900 MB/s y escritura secuencial de 180 MB/s. El posible sistema de almacenamiento del Samsung Galaxy S10 estaría protagonizado por la nueva tecnología, un que incluye HS-G4 frente al HS-G3 del UFS 2.1, multiplicando por dos el rendimiento hasta alcanzar los 11,6 Gbps (1,45 GB/s) por canal, manteniéndose el soporte para dos canales, por lo que la velocidad máxima puede ser de 23,2 Gbps (2,9 GB/s).
ICE UNIVERSE@UniverseIceSamsung will mass-produce LPDDR5 and UFS3.0 chips in the second half of the year, and I look forward to the Galaxy S10.01 de febrero, 2024 • 20:59
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Esto, explicado en palabras más mundanas, significa que los dispositivos de gama alta que equipen memoria USF 3.0, como parece que así sucederá con el Samsung Galaxy S10, presumirán de una mayor velocidad de lectura y escritura así como la posibilidad de aumentar la cantidad de GB disponibles.
Y si importante es el UFS 3.0, no menos lo es la llegada de las memorias LPDDR5. Actualmente los smartphones cuentan con tecnología LPDDR4 de memoria RAM y, aunque no conocemos las características oficiales de las nuevas memorias, es de esperar que mejoren, por mucho, el rendimiento de la actual RAM presente en nuestros dispositivos, haciendo menos necesario el lanzar al mercado móviles con 8 o 10 GB de RAM.