La memoria interna del Galaxy S10 podría ser la más rápida del mercado

Samsung

Estos días se está celebrando el Summit 4G/5G de Qualcomm, y como cada año, la cita sirve para conocer las primeras pinceladas relacionadas con la tecnología que llegará en los próximos meses. Una de las conferencias ha estado centrada en cómo los nuevos sistemas de almacenamiento beneficiarán al rendimiento de las conexiones 5G, y es ahí donde se ha hablado de UFS 3.0.

El sistema de Almacenamiento de Archivos Unificado se incluirá en los nuevos productos lanzados en la primera mitad del 2019, y tal y como ha confirmado el responsable de producto de memoria móvil, Samsung será uno de los fabricantes que apueste por la nueva tecnología. ¿Y qué teléfono debería de lanzar Samsung por esas fechas? Bingo.

Samsung Galaxy S10, más rápido con UFS 3.0

ufs 3.0

Teniendo en cuenta esos detalles, no hay que ser demasiado listo para intuir que la nueva versión de UFS llegará incluida en el próximo buque insignia de los coreanos. Es además una práctica que el fabricante suele realizar, ya que en anteriores lanzamientos como el del Galaxy S8 también estrenó UFS 2.1, por no hablar del Galaxy S6, que fue el primer teléfono en integrar memoria UFS.

UFS 3.0: nuevo estándar de almacenamiento con hasta 2,9 GB/s en tu móvil

En las diapositivas presentadas en la conferencia se puede ver cómo las versiones en las que estará disponibles las memorias pasan por capacidades de 128, 256 y 512 GB de memoria, unas versiones que también podrían determinar las versiones en las que estará disponible el nuevo teléfono de Samsung. Lo que sí podemos estar seguros es que no habrá versiones de 64 GB si se mantiene el uso de UFS 3.0, o en su defecto, sí existirá un modelo con 64 GB con tecnología UFS 2.1 como se rumorea.

¿Qué mejoras se obtienen respecto a UFS 2.1?

memoria galaxy s9

Teniendo en cuenta que estamos hablando de memorias de almacenamiento, la principal ventaja a la hora de utilizar estos nuevos chips es la de conseguir mejores tiempos de respuesta y tasas de transferencia mucho más rápidas. Las cifras oficiales hablan del doble ancho de banda respecto a UFS 2.1, algo que podría permitir alcanzar tiempos de transferencias increíblemente rápidos.

Samsung Galaxy S10: desveladas sus opciones de almacenamiento

Samsung ha querido aprovechar la presentación para hablar también de las futuras memorias LPDDR5, unos chips que debería de llegar en el 2020 y que incrementaría el ancho de banda de la memoria RAM desde lo 44 GB/s hasta los 51,2 GB/s, incluyendo además una reducción del consumo energético del 20%. Nada mal, ¿no?

Escrito por Carlos Martínez

Fuente > Android Central

Vía > PhoneArena