Test de rendimiento de la memoria interna del Samsung Galaxy S7

Android

El Samsung Galaxy S7 estrenaba nuevo procesador, mas memoria RAM, una cámara de fotos espectacular, una batería de mayor autonomía y hasta un diseño perfeccionado. Sin embargo, la gran mayoría no presta atención a otro de los grandes avances en el último portaestandarte surcoreano. Nos referimos a la memoria interna, esa que sustenta todo el software y que con la incorporación de la segunda generación de la tecnología UFS aumenta notablemente el rendimiento de la misma. A continuación algunos ejemplos de los valores que llega a alcanzar este tipo de memoria que sustituye a la más extendida, la memoria eMMC.

Es una realidad que el rendimiento de los smartphones ha aumentado exponencialmente durante los últimos años y todo el marketing asociado a cada lanzamiento de los tope de gama se ha centrado en la mejora de los procesadores y el aumento de la memoria RAM, principalmente. Sin embargo, existen otros avances tecnológicos que están igualmente relacionados con la “rapidez” de un smartphone, tal vez más de lo que podríamos pensar en un primer momento. Aunque Samsung no ha hecho especial énfasis en la incorporación de la tecnología UFS en la memoria del, primeramente, Samsung Galaxy S6 y posteriormente el Samsung Galaxy S7, lo cierto es que repercute de forma notable en la experiencia de uso del sistema. Nos referimos a la memoria interna y los valores de escritura y lectura.

Logran que la microSD del Samsung Galaxy S7 sea reconocida como memoria interna

Memoria UFS

Uno de los secretos del excelente rendimiento del Samsung Galaxy S7 también guarda relación con este tipo de memoria. No solo es la causante de que la transferencia de archivos a la memoria interna del smartphone requiera mucho menos tiempo, que también. Nos referimos a la repercusión de las altas tasas de lectura y escritura de esta memoria flash puesto que interfiere de forma indirecta, por ejemplo, en la rapidez con la que se ejecuta el sistema o cuanto tarda en cargar una aplicación o un videojuego. Y es que cuanto más altas sean las tasas de escritura y lectura de este tipo de memoria, menor tiempo se requiere para procesar cualquier petición tanto del sistema como del propio usuario.Test de rendimiento de la memoria interna del Samsung Galaxy S7

Test de rendimiento

¿Cómo de rápida es la memoria interna del Samsung Galaxy S7? Lo cierto es que a partir de la experiencia real de los propietarios del equipo y la ayuda de test de rendimiento es posible medir e incluso comparar los valores ofrecidos por el smartphone. Para tal propósito podemos utilizar cualquier app de Google Play para tal objetivo, tal y como es el caso de A1 SD Bench, que podéis descargar desde el enlace de más abajo.

Resultados de test de rendimiento de la memoria de varios smartphones

Lectura y escritura secuencial de Samsung Galaxy Note Edge y Huawei Mate 8

Ficha técnica del Samsung Galaxy S7

Así, según las capturas de algunas de estas pruebas, podemos determinar que la velocidad de la memoria interna del Samsung Galaxy S7 está a años luz de la competencia. De hecho, los resultados son fácilmente contrastables con los registrados por la anterior generación, el Samsung Galaxy S6. En este punto es donde podemos tangibilizar de algún modo la mejora de rendimiento tras el salto de una generación a otra.

Samsung Galaxy Note 6 con 6 GB de RAM y ¿256 GB de memoria interna ultra rápida?

Las medidas de lectura y escritura secuencial se encuentran en torno a los 350 Mbps y 150 Mbps respectivamente. valores especialmente altos si los confrontamos con los logrados por el Samsung Galaxy S6, en torno a los 200 Mbps y 100 Mbps. Más contraste existe si cabe si valoramos esas medidas con las logradas por otros modelos como el Samsung Galaxy Note Edge ( 195 y 52 Mbps) o el Huawei Mate 8, con resultados en torno a los 195 Mbps y 90 Mbps respectivamente.

A1 SD Bench
Desarrollador: Tuxera Inc.
Precio: Gratis
Escrito por Víctor Rodríguez