La memoria interna del Samsung Galaxy S6 será tres veces más rápida

Samsung

Aún no se conoce con exactitud el apartado de principales especificaciones técnicas del Samsung Galaxy S6, pero los avances de la firma en materia de investigación y desarrollo tecnológico nos ofrecen detalles a cuenta gotas. En esta ocasión la información procedente de la filial encargada de la fabricación de memorias hace alusión a la incorporación de una nueva tecnología en los chips de memoria NAND Flash.

Cada detalle, por pequeño que sea, cuenta. Así parece que nos piensa sorprender Samsung cuando presente su nuevo buque insignia, el Samsung Galaxy S6. No conocemos con exactitud el apartado de características técnicas, aunque sí la filosofía de la que parte su desarrollo. Tal y como supimos a partir del nombre en clave, Project Zero, la firma prepara un modelo totalmente renovado, sin la base de anteriores generaciones.

Mejoras en la memoria interna que incluiría el Samsung Galaxy S6

Ese cambio se podrá apreciar en cada detalle, destacado o no. Tal sería el caso de la memoria interna, la memoria de almacenamiento. Si bien a este respecto se ha especulado que habría versiones de 32, 64 y 128 GB, ahora conocemos detalles técnicos sobre una nueva memoria que el fabricante de semiconductores empezará a producir en unas semanas. Dado que la filial ha indicado que estará específicamente diseñada para los nuevos smartphones y tabletas de la marca, damos por hecho que este cambio tecnológico llegará de la mano del Samsung Galaxy S6.Velocidad de la memoria interna del Samsung Galaxy S6

Más rendimiento, menos consumo energético

Según la información recabada, Samsung apostará por una nueva generación de memorias flash. En lugar de las actuales NAND Flash eMMC 5.0, la multinacional dará paso a la tecnología UFS 2.0. En términos de rendimiento estaríamos hablando de memorias capaces de alcanzar velocidades de hasta 1.440 Mbps, alrededor de 1.2 Gbps. El cambio es notorio si tenemos en consideración los 400 Mbps de las memorias actuales.

Además de la ganancia en prestaciones, menores tiempos para la transferencia de archivos y mayores tasas de lectura y escritura, este tipo de memorias UFS 2.0 favorecerían una mayor autonomía en el Samsung Galaxy S6. Y es que el consumo energético de estos chips se reduciría a la mitad. Estas optimizaciones no pasarán inadvertidas para el resto de firmas ya que según se ha podido saber Xiaomi también tiene planes para incluirlas en sus dispositivos. Del mismo modo, Toshiba y Micron también producirán memorias UFS.

Asimismo, Samsung tiene pensado introducir las memorias flash EFS de segunda generación en todas sus tarjetas de memoria externas, tanto SD como micro SD, con lo que se avecinan mayores tasas de transferencia en dichos complementos accesorios para, cómo no, smartphones y tabletas, entre otros dispositivos.

Fuente: GSMArena

Escrito por Víctor Rodríguez

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Comentarios

3 comentarios
  1. Xperio 13 Nov, 14 11:42

    Luego para instalar touchwiz y su maravilloso lag

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    1. asdddf 15 Nov, 14 21:22

      como se nota que no probaste el note 4, ni el galaxy alpha, ni la galaxy tab s

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  2. Jimmy 13 Nov, 14 15:35

    el objetivo sera poder grabar de forma ilimitada en 4k

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