Un nuevo año, y nuevos horizontes por alcanzar en el mundo de la telefonía móvil, porque con el 2017 llegarán nuevos buques insignia equipados con la nueva generación de procesadores de distintos fabricantes, entre ellos Qualcomm y su Snapdragon 835. Un procesador que será el protagonista de la gama alta en este año y que sin duda ofrecerá un rendimiento espectacular, al menos si tenemos en cuenta la puntuación que ha obtenido con este procesador el Xiaomi Mi6 en AnTuTu.
Poco a poco vamos conociendo nuevos detalles del que será el terminal más destacado de Xiaomi al menos en la primera mitad de este año, unos detalles que apuntan a una versión compacta del Xiaomi Mi Note 2, aunque si nos atentemos a lo acontecido en AnTuTu, no sabemos si realmente será tan reducida.
El Xiaomi Mi6 en AnTuTu rompe la barrera de los 200.000 puntos
Como es evidente, no se puede verificar al 100% si la puntuación aparecida se puede atribuir al 100% al Xiaomi Mi6. Ha sido un usuario de la red social Weibo en China quien ha publicado una imagen donde se muestran los supuestos resultados del Xiaomi Mi6 en AnTuTu, subidos por alguien que ha tenido acceso a un prototipo del teléfono gracias a un conocido. Pues bien, en este paso por AnTuTu el Xiaomi Mi6 habría cosechado nada menos que 210,239 puntos, una marca nunca antes alcanzada por cualquier teléfono antes.
Recordemos que el teléfono más potente que ha pasado por AnTuTu recientemente ha sido el iPhone 7 Plus con una puntuación de alrededor de 183.000 puntos, por lo que se superaría de forma holgada la puntuación del terminal de los de Cupertino. De ser verdad este paso del Xiaomi Mi6 en AnTuTu estaríamos ante el siguiente escalón de rendimiento en la industria móvil, que este año ha visto cómo los teléfonos con procesador Snapdragon 820, como por ejemplo el Xiaomi Mi5 se han estado moviendo entre los 130.000 y 140.000 puntos.
Mientras que la llegada del Snapdragon 821 ha elevado el listón hasta más de 160.000 puntos, siempre por detrás de los nuevos terminales de Apple, que han estado ligeramente por encima. Desde luego estos resultados no nos extrañarían en absoluto de convertirse en realidad, ya que era de esperar una mejora del rendimiento importante en el nuevo Snapdragon 835, que será fabricado en el proceso de 10nm con la colaboración de Samsung. Sin duda se presenta un año realmente apasionante en la gama alta, rebasándose posiblemente la barrera de los 200.000 puntos en muchos terminales.